Příklady a pokyny ke cvičení

• 1. týden - Vlastnosti diod, seznámení se simulátorem MC9 (pro všechny obvody spouštějte transientní analýzy)
  • D1.CIR, základní zapojení diody jako usměrňovače
  • D2.CIR, dynamické vlastnosti 2 různých diod
  • D3.CIR, základní usměrňovač, velké napětí - vlastnosti v propustném i závěrném směru (používejte zoomování zajímavých částí průběhu!)
  • D4.CIR, VA charakteristika diody v propustném směru (měňte i rozsahy analýzy z předem nastavených mezí)
  • D41.CIR, VA charakteristika diody v závěrném směru (měňte rozsahy analýzy, používejte zoomování zajímavých částí průběhu)
  • D5.CIR, Jednocestný a dvojcestný můstkový usměrňovač s variantami filtrace průběhu - ukázka vlivu na úhel otevření diody a na špičkový proud diodou - experimentujte
  • D6.CIR, dioda jako spínač analogového signálu Vsin řídicím napětím V1 (měňte (cíleně!!!) amplitudu Vsin a V1, sledujte vliv na výstupní signál)
• 2. týden - Vlastnosti diod, dokončení, schémata z minulého týdne, zesilovač s bipolárním tranzistorem, nastavení a stabilizace pracovního bodu
  • SE1.CIR, zesilovače v zapojení SE, stabilizace pracovního bodu
  • SE1a.CIR, zesilovače v zapojení SE bez stabilizace pracovního bodu
  • SE1b.CIR, zesilovače v zapojení SE, stabilizace pracovního bodu pomocí Re
  • SE1c.CIR, zesilovače v zapojení SE, stabilizace pracovního bodu s bázovým děličem
• 3. týden - výpočet a simulace vlastností zesilovače s bipolárním tranzistorem v zapojení SE - zesílení, vstupní a výstupní odpor, kmitočtová charakteristika
  • SE2.CIR, zesilovače v zapojení SE, stabilizace pracovního bodu
  • SE2a.CIR, zesilovače v zapojení SE bez stabilizace pracovního bodu
  • SE2b.CIR, zesilovače v zapojení SE, stabilizace pracovního bodu pomocí Re
  • SE2c.CIR, zesilovače v zapojení SE, stabilizace pracovního bodu s bázovým děličem
• 4. týden - výpočet a simulace vlastností zesilovače s polem řízeným tranzistorem v zapojení SS
  • 04-ss-nmos1.cir, zesilovače s tranzistorem NMOS BS170 v zapojení SS, různé nastavení a stabilizace pracovního bodu
  • 04-ss-jfet2.cir, zesilovače s tranzistorem JFET BF245A v zapojení SS, různé nastavení a stabilizace pracovního bodu
  • Katalogový list tranzistoru BS170.pdf, N-kanálový spínací MOSFET
  • Katalogový list tranzistoru BF245A.pdf, N-kanálový JFET
• 5. týden - výpočet a simulace vlastností vícetranzistorových zesilovačů
• 6.-9. týden - měření v laboratoři
• 10. týden - odpadlo - Velikonoce, 1. a 8. květen...
• 11. týden - výpočet a simulace vlastností vícetranzistorových zesilovačů
  • 05-difzes1.cir, rozdílový zesilovač s NPN tranzistorem, pracovní bod, rozdílové a souhlasné zesílení
  • 05-difzes2.cir, rozdílový zesilovač s NPN tranzistorem a se zdrojem proudu v emitorech, pracovní bod, rozdílové a souhlasné zesílení
  • 05-kaskoda1.cir, kaskódový zesilovač s NPN tranzistory, pracovní bod, kmitočtové vlastnosti, zesílení
• 12. týden - konzultace k semestrálním projektům, obvody s operačními zesilovači
  • 12-Difzes1.CIR, základní princip rozdílového zesilovače, rozdílové a souhlasné zesílení
  • 12-Difzes1a.CIR, vliv malého zesílení OZ
  • 12-Difzes2.CIR, vliv velké impedance zdroje signálu (např. impedance elektrod EKG)
  • 12-Difzes3.CIR, přístrojový zesilovač s OZ, rozdílové a souhlasné zesílení
  • 12-Difzes4.CIR, vliv impedance zdroje signálu na přístrojový zesilovač, rozdílové a souhlasné zesílení
  • 12-nelin1.CIR, generátor obdélníkového signálu s OZ
• 13.-14. týden - obhajoba semestrálních projektů - PowerPoint, pdf..., příp. slide pro zpětný projektor, rozsah cca 12 minut + diskuse. Požadavky - rozbor zadání, zvolené zapojení, popis funkce, simulace, pracovní body, charakteristiky, průběhy...

Poslední modifikace 17. 5. 2007, Zdeněk Horčík.